1.敷設(shè)時(shí)產(chǎn)生的大衰耗點(diǎn)
在光纜施工中,由于光纜敷設(shè)長(zhǎng)度一般在2~3KM直埋敷設(shè)時(shí),穿越的障礙物較多,在施工中,敷設(shè)人員較多,敷設(shè)距離較遠(yuǎn),難以保證所有敷設(shè)人員協(xié)調(diào)行動(dòng),特別是通過障礙物較多時(shí),如:穿 越防護(hù)鋼管,拐彎、上下坡等,從而出現(xiàn)俗稱的光纜打背扣(出現(xiàn)死彎)現(xiàn)象,對(duì)光纜造成嚴(yán)重傷害,一旦發(fā)生死彎現(xiàn)象,此處必然會(huì)出現(xiàn)一個(gè)大衰耗點(diǎn),嚴(yán)重的會(huì)發(fā)生部分或全部光纖斷裂現(xiàn)象,這是光纜 施工中容易出現(xiàn)的故障現(xiàn)象。此外,在敷設(shè)光纜時(shí),光纜端頭的光纜最容易受到損傷,在接續(xù)時(shí),往往在接續(xù)點(diǎn)處顯示有較大衰耗值,此時(shí),即使多次重復(fù)熔接,也不能降低接續(xù)損耗值,從而形成一個(gè)較大的衰耗點(diǎn)。
2.接續(xù)過程中產(chǎn)生的大衰耗點(diǎn)
在光纜接續(xù)過程中,產(chǎn)生大衰耗點(diǎn)是經(jīng)常發(fā)生的,我們一般用OTDR(光時(shí)域反射儀)進(jìn)行監(jiān)測(cè),即每熔接一根光纖,都用OTDR測(cè)試一下熔接點(diǎn)的衰耗值,具體測(cè)試時(shí),采用雙向監(jiān)測(cè)法,由于光纖制造過程中存在的差異性,兩根光纖不可能完全一致,總是存在模場(chǎng)直徑不一致現(xiàn)象,從而導(dǎo)致了用OTDR所測(cè)的損耗值并不是接續(xù)點(diǎn)的實(shí)際損耗值,其數(shù)值有正有負(fù),一般用雙向測(cè)試值的算術(shù)平均值作為實(shí)際衰耗值。在接續(xù)時(shí),一般用實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)法,基本能保證熔接損耗達(dá)到控制目標(biāo),但經(jīng)常產(chǎn)生大損耗點(diǎn)的原因是在熔接完畢后進(jìn)行光纖收容時(shí),部分光纖受壓或彎曲半徑過小,即形成一個(gè)大衰耗點(diǎn)。因?yàn)?550nm波長(zhǎng)的光纖對(duì)微彎損耗非常敏感,光纖一旦受壓,即產(chǎn)生一個(gè)微彎點(diǎn),或盤纖時(shí),彎曲半徑過小,光纖信號(hào)在此處也產(chǎn)生較大的衰耗,表現(xiàn)在光纖后向散射曲線上,就形成了一個(gè)較大的衰耗臺(tái)階;另外,一個(gè)比較容易忽視的原因是光纜接頭盒組裝完成后,固定接頭盒和固定光纜時(shí),由于光纜在接頭盒內(nèi)固定的不是很牢固,造成光纜擰轉(zhuǎn),使光纖束管變形,由于光纖受壓,造成光纖衰耗值急劇增加,形成衰耗臺(tái)階?!?/p>
3.運(yùn)輸和裝卸造成的大衰耗點(diǎn)
在光纜運(yùn)輸?shù)绞┕がF(xiàn)場(chǎng)時(shí),由于現(xiàn)場(chǎng)環(huán)境比較惡劣,特別是敷設(shè)鐵路通信光纜時(shí),吊車往往無法到達(dá)施工現(xiàn)場(chǎng),此時(shí),常常是通過人力裝卸光纜,在光纜卸下的過程中,外層光纜經(jīng)常受到損傷,原因是光纜盤直徑過小,導(dǎo)致外層光纜離地面距離過近,由于現(xiàn)場(chǎng)地面土質(zhì)軟硬不一,崎嶇不平,在滾動(dòng)光纜盤的過程中,光纜盤陷入地面,導(dǎo)致外層光 纜被地面硬物硌壞,主要原因是部分廠家為降低生 產(chǎn)成本,采用較小的光纜盤。此外,光纜盤未用木板進(jìn)行包封(有些是鐵架光纜盤,無法用木板進(jìn)行包封),而僅用塑料布在光纜外層進(jìn)行包裹,或者是單盤測(cè)試后,光纜盤包封未恢復(fù),起不到應(yīng)有的防護(hù)作用,當(dāng)光纜外層被石頭等硬物硌傷后,光纖在束管中受壓,即產(chǎn)生一個(gè)衰耗臺(tái)階,表現(xiàn)在光纖后向散射曲線上,就形成一個(gè)較大的衰耗點(diǎn)?!?.4成端過程中產(chǎn)生的大衰耗點(diǎn)
在光纜成端過程中,也經(jīng)常會(huì)產(chǎn)生大衰耗點(diǎn)。在成端時(shí),由于一般不進(jìn)行熔接損耗監(jiān)測(cè),僅憑經(jīng)驗(yàn)操作,因此,產(chǎn)生大衰耗點(diǎn)的幾率也大增。此外,在光纖熔接后安裝收容盤時(shí),往往造成收容盤附近 的光纖束管彎曲半徑過小或造成光纖束管擰轉(zhuǎn)變形,使光纖在此處產(chǎn)生一個(gè)較大的衰耗點(diǎn),此類大衰耗點(diǎn)一般比較隱蔽,不像線路中間的大衰耗點(diǎn)用OTDR可以直接測(cè)出?!?/p>